반도체 장비 부품
KEY PROCESSES
핵심 공정
초고온 및 진공 열처리 공정 전 구간에 들어가는 부품을 공급합니다.
01
CVD — 화학 기상 증착
서셉터와 히터의 온도 분포가 박막 균일도를 결정합니다. 장비 구조에 맞춰 발열 패턴을 설계합니다.
02
PVD — 물리 기상 증착
타겟과 차열 구조가 증착률과 챔버 청정도를 좌우합니다. 고순도 소재로 공급합니다.
03
식각 (Etching)
플라즈마 환경에서 내플라즈마성과 저파티클 특성이 요구되는 챔버 내부 부품을 담당합니다.
04
이온 주입 (Ion Implantation)
고전압·고진공 조건의 전극과 차폐 구조에 고융점 금속 가공품을 적용합니다.
SUPPLY ITEMS
주요 공급 품목
카드를 누르면 해당 제품의 상세 규격 페이지로 이동합니다.
히터
AlN 히터(Mo)
CVD · Etching 챔버 안에서 기판 전면의 온도 균일성을 만들어 수율을 끌어올립니다.
사용 온도 ~800℃ · 발열 패턴 A~E형 · 단자 형식 선택
차열
쉴드 & 무게추
챔버 열손실을 막고 주변 구조물의 온도 상승을 억제합니다.
두께 0.1~3.0t · 다층 구성 · 정밀 타발 및 절곡
전극
전극(W · WCu)
고전압 환경에서 방전 안정성과 치수 정밀도를 유지합니다.
W · W-Cu · 와이어 방전 · 공차 ±0.01
타겟
스퍼터링 타겟
PVD 증착률과 막질을 좌우하는 고순도 타겟.
순도 99.95% · 접합 가공 · 표면 조도 관리
CUSTOMIZATION
커스텀 스펙 · 가공 옵션
표준 규격 외에도 장비 조건에 맞춰 바꿀 수 있습니다.
01
단자 형식 선택
중앙 집중형 · 내외측 분리형 등 장비 배선 구조에 맞춰 단자 위치를 바꿉니다.
02
전압 · 전력 맞춤 설계
목표 온도와 승온 속도를 주시면 저항값과 단면적을 역산해 설계합니다.
03
도면 기반 커스텀 가공
도면 한 장이면 시제품부터 양산까지 같은 공차로 대응합니다.
WHY KOREA TUNGSTEN
핵심 소구점
±5℃
온도 균일성
발열 패턴 설계와 두께 관리로 기판 전면의 온도 편차를 줄여 수율을 높입니다.
99.95%
파티클 오염 최소화
고순도 원소재와 표면 처리로 공정 중 발생하는 오염원을 억제합니다.
±0.01
미세 패턴 가공 정밀도
와이어 방전과 정밀 연삭으로 미세 형상을 도면 공차 안에서 구현합니다.
