반도체 공정 장비

반도체 장비 부품

반도체 장비 부품

CVD·PVD·식각·이온 주입 공정의 초고온 진공 챔버 안에서 요구되는 온도 균일성과 청정도를 고순도 고융점 금속 가공으로 구현합니다.

CVD·PVD·식각·이온 주입 공정의 초고온 진공 챔버 안에서 요구되는 온도 균일성과 청정도를 고순도 고융점 금속 가공으로 구현합니다.

2,000℃연속 사용 온도
99.95%텅스텐 순도
±5℃표면 온도 편차
4대응 핵심 공정
KEY PROCESSES

핵심 공정

초고온 및 진공 열처리 공정 전 구간에 들어가는 부품을 공급합니다.

01

CVD — 화학 기상 증착

서셉터와 히터의 온도 분포가 박막 균일도를 결정합니다. 장비 구조에 맞춰 발열 패턴을 설계합니다.

02

PVD — 물리 기상 증착

타겟과 차열 구조가 증착률과 챔버 청정도를 좌우합니다. 고순도 소재로 공급합니다.

03

식각 (Etching)

플라즈마 환경에서 내플라즈마성과 저파티클 특성이 요구되는 챔버 내부 부품을 담당합니다.

04

이온 주입 (Ion Implantation)

고전압·고진공 조건의 전극과 차폐 구조에 고융점 금속 가공품을 적용합니다.

CUSTOMIZATION

커스텀 스펙 · 가공 옵션

표준 규격 외에도 장비 조건에 맞춰 바꿀 수 있습니다.

01

단자 형식 선택

중앙 집중형 · 내외측 분리형 등 장비 배선 구조에 맞춰 단자 위치를 바꿉니다.

02

전압 · 전력 맞춤 설계

목표 온도와 승온 속도를 주시면 저항값과 단면적을 역산해 설계합니다.

03

도면 기반 커스텀 가공

도면 한 장이면 시제품부터 양산까지 같은 공차로 대응합니다.

WHY KOREA TUNGSTEN

핵심 소구점

±5℃

온도 균일성

발열 패턴 설계와 두께 관리로 기판 전면의 온도 편차를 줄여 수율을 높입니다.

99.95%

파티클 오염 최소화

고순도 원소재와 표면 처리로 공정 중 발생하는 오염원을 억제합니다.

±0.01

미세 패턴 가공 정밀도

와이어 방전과 정밀 연삭으로 미세 형상을 도면 공차 안에서 구현합니다.

CUSTOM ENGINEERING

표준 규격으로 풀리지 않는 조건

반도체 장비 부품 공정은 장비마다 조건이 다릅니다. 도면 한 장이나 사용 조건만 주시면 소재 선정부터 형상·공차까지 설계해 드립니다. 시제품 한 개부터 양산까지 같은 기준입니다.

01초고진공
10⁻⁵ torr 이하에서 가스 방출이 적은 소재를 고르고, 표면 처리로 아웃개싱을 더 낮춥니다.
02부식성 가스
플라즈마·할로겐 분위기에 맞춰 조성과 피막을 설계합니다. 파티클 발생원이 되지 않게 합니다.
03특수 전압 · 전력
목표 전압과 승온 속도에서 역산해 저항값·단면적·발열 패턴을 정합니다.
04도면 기준 형상
챔버 간섭을 피하는 치수와 체결부를 도면 그대로 가공합니다. 공차 ±0.01 까지 대응합니다.
CNC 정밀 가공 현장

첨단 소재 공급 및 가공,
Global Material Leader

소재부터 가공품까지, 고객의 입장에서 가장 좋은 Solution을 드립니다.

평일 AM 9:00 ~ PM 5:30 (격주 금요일 PM 4:00 / 주말 · 공휴일 휴무)

현재 반도체 장비 부품 페이지를 보고 계십니다.공정 조건을 알려주시면 사양을 검토해 회신드립니다.TOP

(주) 코리아텅스텐

KOREA TUNGSTEN CO.,LTD

고융점 금속 소재 공급 및 초정밀 가공 — 반도체·디스플레이·방산·우주·의료 & 방사선 분야의 핵심 소재를 공급합니다.

(유) 이노엠티

INNOMT CO.,LTD

코리아텅스텐 공식 해외 사업부

© 2026 (주)코리아텅스텐. Korea Tungsten Co., Ltd. All rights reserved. 10949 경기도 파주시 조리읍 비득바위길 83 (오산리 364-2)   031-975-1717

© 2026 (유)이노엠티. INNOMT Co., Ltd. All rights reserved. 10543 경기 고양시 덕양구 으뜸로 50,아이에스비즈타워한강3차지식산업센터A동 1710호 02-6408-4239

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